
评论 发表
导的自发电子掺杂和费米能级钉扎效应,使现有二维半导体材料体系长期呈现N型材料多、P型材料少,以及N型材料性能好,P型材料性能差的结构性失衡问题。 针对上述问题,研究团队建立了以液态金/钨双金属薄膜为衬底的化学气相沉积方法,实现了晶圆级、掺杂可调的单层氮化钨硅薄膜的可控生长。新的制备方法让二维材料的单晶区域尺寸达到了亚毫米级别,生长速率较已有文献报道值高出约1000倍。在晶体管性能方面,单层氮化钨
当前文章:http://8o7jca.zentaike.cn/bdku/a15.html
发布时间:02:06:28